Bahat-Treidel, Eldad: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (23)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

Time-Dependent Failure of GaN-on-Si Power HEMTs With p-GaN Gate

Rossetto, Isabella, Meneghini, Matteo, Hilt, Oliver, Bahat-Treidel, Eldad, De Santi, Carlo, Dalcanale, Stefano, Wuerfl, Joachim, Zanoni, Enrico, Meneghesso, Gaudenzio

Журнал:

IEEE Transactions on Electron Devices

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.73 MB

english, 2016

2

[IEEE 2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Bruges, Belgium (2012.06.3-2012.06.7)] 2012 24th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs - Impact of buffer composition on the dynamic on-state resistance of high-voltage AlGaN/GaN HFETs

Hilt, Oliver, Bahat-Treidel, Eldad, Cho, Eunjung, Singwald, Sebastian, Wurfl, Joachim

Рік:

2012

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2012

3

Characterization of stress degradation effects and thermal properties of AlGaN/GaN HEMTs with photon emission spectral signatures

A. Glowacki, P. Laskowski, C. Boit, Ponky Ivo, Eldad Bahat-Treidel, Reza Pazirandeh, Richard Lossy, Joachim Würfl, Günther Tränkle

Журнал:

Microelectronics Reliability

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 766 KB

english, 2009

4

Breakdown and dynamic effects in GaN power switching devices

Würfl, Joachim, Hilt, Oliver, Bahat-Treidel, Eldad, Zhytnytska, Rimma, Kotara, Przemyslaw, Krüger, Olaf, Brunner, Frank, Weyers, Markus

Журнал:

Physica status solidi

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 473 KB

english, 2013

5

Discussion on “An electric harmonic analyser” before the Scottish Centre, at Glasgow, 9 December, 1924

Badawi, Nasser, Bahat-Treidel, Eldad, Dieckerhoff, Sibylle, Hilt, Oliver, Wurfl, Joachim

Журнал:

Journal of the Institution of Electrical Engineers

Рік:

1925

Мова:

english

Файл:

PDF, 463 KB

english, 1925

6

Continuously controllable, wide-angle liquid crystal beam deflector based on the transversal field effect in a three-electrode cell

Bahat-Treidel, Eldad

Журнал:

Optical Engineering

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 285 KB

english, 2005

7

[IEEE 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - Hong Kong, China (2015.5.10-2015.5.14)] 2015 IEEE 27th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD) - 70 mΩ/600 V normally-off GaN transistors on SiC and Si substrates

Hilt, Oliver, Zhytnytska, Rimma, Bocker, Jan, Bahat-Treidel, Eldad, Brunner, Frank, Knauer, Arne, Dieckerhoff, Sibylle, Wurfl, Joachim

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 653 KB

english, 2015

8

Engineered linearity of GaN-based HEMTs power devices by tailoring transfer characteristics

Eldad Bahat-Treidel, Ibrahim Khalil, Oliver Hilt, Joachim Würfl, Günther Tränkle

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 338 KB

english, 2009

9

Punch-through voltage enhancement scaling of AlGaN/GaN HEMTs using AlGaN double heterojunction confinement

Eldad Bahat-Treidel, Oliver Hilt, Fank Brunner, Joachim Würfl, Günther Tränkle

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 405 KB

english, 2009

10

AlGaN/GaN/AlGaN double heterojunction HEMTs on n-type SiC substrates

Eldad Bahat-Treidel, Oliver Hilt, Frank Brunner, Joachim Würfl, Günther Tränkle

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 146 KB

english, 2010

11

Comparative study of buffer designs for high breakdown voltage AlGaNGaN HFETs

Frank Brunner, Eldad Bahat-Treidel, Melanie Cho, Carsten Netzel, Oliver Hilt, Joachim Würfl, Markus Weyers

Журнал:

physica status solidi (c)

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 222 KB

english, 2011

12

On the Fringing-Field Effect in Liquid-Crystal Beam-Steering Devices

Apter, Boris, Efron, Uzi, Bahat-Treidel, Eldad

Журнал:

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 327 KB

english, 2004

13

Experimental study of phase-step broadening by fringing fields in a three-electrode liquid-crystal cell

Bahat-Treidel, Eldad, Apter, Boris, Efron, Uzi

Журнал:

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 221 KB

english, 2005

14

Fringing-field effect in liquid-crystal beam-steering devices: an approximate analytical model

Efron, Uzi, Apter, Boris, Bahat-Treidel, Eldad

Журнал:

Journal of the Optical Society of America A

Рік:

2004

Мова:

english

Файл:

PDF, 383 KB

english, 2004

15

[IEEE 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - Montreal, QC, Canada (2009.04.26-2009.04.30)] 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium - Influence of GaN cap on robustness of AlGaN/GaN HEMTs

Ivo, Ponky, Glowacki, Arkadiusz, Pazirandeh, Reza, Bahat-Treidel, Eldad, Lossy, Richard, Wurfl, Joachim, Boit, Christian, Trankle, Gunther

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 764 KB

english, 2009

16

[IEEE 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE) - Lille, France (2013.09.2-2013.09.6)] 2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE) - Evaluation of 600V GaN and SiC Schottky diodes at different temperatures

Badawi, Nasser, Bahat-Treidel, Eldad, Dieckerhoff, Sibylle, Hilt, Oliver, Wurfl, Joachim

Рік:

2013

Мова:

english

Файл:

PDF, 446 KB

english, 2013

17

High-voltage normally OFF GaN power transistors on SiC and Si substrates

Hilt, Oliver, Bahat-Treidel, Eldad, Knauer, Arne, Brunner, Frank, Zhytnytska, Rimma, Würfl, Joachim

Журнал:

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.09 MB

english, 2015

18

ECS Transactions [ECS 220th ECS Meeting - Boston, MA (October 9 - October 14, 2011)] - (Invited) High Voltage Normally-Off Transistors and Efficient Schottky Diodes based on GaN Technology

Wuerfl, Joachim, Bahat-Treidel, Eldad, Brunner, Frank, Cho, M., Hilt, Oliver, Knauer, Arne, Kotara, Przemyslaw, Weyers, Markus, Zhytnytska, Rimma

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.08 MB

english, 2011

19

[IEEE ESSDERC 2015 - 45th European Solid-State Device Research Conference - Graz, Austria (2015.9.14-2015.9.18)] 2015 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC) - E-mode AlGaN/GaN True-MOS, with high-k ZrO2 gate insulator

Capriotti, Mattia, Fleury, Clement, Bethge, Ole, Rigato, Matteo, Lancaster, Suzanne, Pogany, Dionyz, Strasser, Gottfried, Bahat-Treidel, Eldad, Brunner, Oliver Hilt Frank, Wurfl, Joachim

Рік:

2015

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.11 MB

english, 2015

20

SPIE Proceedings [SPIE Optics & Photonics 2005 - San Diego, California, USA (Sunday 31 July 2005)] Free-Space Laser Communications V - Electro-optical wide-angle beam deflection based on transversal-field-induced refractive inhomogeneity in a liquid crystal layer

Voelz, David G., Apter, Boris, Bahat-Treidel, Eldad, Ricklin, Jennifer C., Efron, Uzi

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2005

21

Investigation of the Dynamic On-State Resistance of 600V Normally-off and Normally-on GaN HEMTs

Badawi, Nasser, Boecker, Jan, Hilt, Oliver, Bahat-Treidel, Eldad, Wuerfl, Hans-Joachim, Dieckerhoff, Sibylle

Журнал:

IEEE Transactions on Industry Applications

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 4.08 MB

english, 2016

22

SPIE Proceedings [SPIE Optics & Photonics 2005 - San Diego, California, USA (Sunday 31 July 2005)] Liquid Crystals IX - Studies of fringing field effects in liquid crystal beam-steering devices

Efron, Uzi, Khoo, Iam-Choon, Apter, Boris, Bahat-Treidel, Eldad

Рік:

2005

Мова:

english

Файл:

PDF, 473 KB

english, 2005

23

[IEEE 2018 International Power Electronics Conference (IPEC-Niigata 2018 –ECCE Asia) - Niigata, Japan (2018.5.20-2018.5.24)] 2018 International Power Electronics Conference (IPEC-Niigata 2018 -ECCE Asia) - Dynamic drift effects in GaN power transistors: Correlation to device technology and mission profile

Wurfl, Joachim, Bahat-Treidel, Eldad, Hilt, Oliver, Troppenz, Maria, Wolf, Mihaela, Bocker, Jan, Kuring, Carsten, Dieckerhoff, Sibylle

Рік:

2018

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.01 MB

english, 2018